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Infineon Technologies IPD220N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
- Número da peça do fabricante :IPD220N06L3GBTMA1
- Fabricante :Infineon Technologies
- Número de peça Dasenic :IPD220N06L3GBTMA1-DS
- Ficha de dados :
IPD220N06L3GBTMA1 Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
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Infineon Technologies IPD220N06L3GBTMA1 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3
消費電力（最大）:36W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:22mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.2V @ 11µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:10 nC @ 4.5 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1600 pF @ 30 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Infineon Technologies IPD220N06L3GBTMA1
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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