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Goford Semiconductor G6N02L
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
- Número da peça do fabricante :G6N02L
- Fabricante :Goford Semiconductor
- Número de peça Dasenic :G6N02L-DS
- Ficha de dados :
G6N02L Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.0826Total : $ 0.08
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 0.0826 | $ 0.83 |
| 3000 + | $ 0.0459 | $ 137.70 |
| 15000 + | $ 0.0423 | $ 634.50 |
| 30000 + | $ 0.0378 | $ 1134.00 |
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Goford Semiconductor G6N02L especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-23-3
消費電力（最大）:1.8W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:11.3mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ Id:0.9V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12.5 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1140 pF @ 10 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:2.5V, 4.5V
Vgs (最大):±12V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G6N02L
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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