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Goford Semiconductor G2012
N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18
- Número da peça do fabricante :G2012
- Fabricante :Goford Semiconductor
- Número de peça Dasenic :G2012-DS
- Ficha de dados :
G2012 Ficha de dados - Descrição : N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.171Total : $ 0.17
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 13101
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.1710 | $ 0.17 |
| 10 + | $ 0.1656 | $ 1.66 |
| 1000 + | $ 0.1494 | $ 149.40 |
| 2000 + | $ 0.0738 | $ 147.60 |
| 10000 + | $ 0.0648 | $ 648.00 |
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Goford Semiconductor G2012 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:6-WDFN Exposed Pad
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:6-DFN (2x2)
消費電力（最大）:1.5W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):20 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:12A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:12mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:29 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1255 pF @ 10 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:2.5V, 4.5V
Vgs (最大):±10V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G2012
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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