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GeneSiC Semiconductor MURTA40060R
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
- Número da peça do fabricante :MURTA40060R
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Número de peça Dasenic :MURTA40060R-DS
- Ficha de dados :
MURTA40060R Ficha de dados - Descrição : DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 343.9Total : $ 343.90
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 2561
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 12 + | $ 343.9000 | $ 4126.80 |
| 24 + | $ 328.0200 | $ 7872.48 |
| 48 + | $ 313.5600 | $ 15050.88 |
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GeneSiC Semiconductor MURTA40060R especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Status do produto:Active
Tipo de montagem:Chassis Mount
Pacote / Caixa:Three Tower
Pacote de dispositivo do fornecedor:Three Tower
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tipo de diodo:Standard
Tensão - Direta ( Vf) ( Máx.) @ Se:1.7 V @ 200 A
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr:25 µA @ 600 V
Configuração de diodo:1 Pair Common Anode
Tensão - D C Reversa ( Vr) ( Máx.):600 V
Corrente - Média Retificada ( Io) (por Diodo):200A
Tempo de recuperação reversa (trr):-
Temperatura de operação - Junção:-55°C ~ 150°C
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.10.0080
Estado do REACH:REACH is not affected
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor MURTA40060R
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.
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