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GeneSiC Semiconductor MBR60045CTL
DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER
- Número da peça do fabricante :MBR60045CTL
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Número de peça Dasenic :MBR60045CTL-DS
- Ficha de dados :
MBR60045CTL Ficha de dados - Descrição : DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 165Total : $ 165.00
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
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GeneSiC Semiconductor MBR60045CTL especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
製品ステータス:Obsolete
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ:Twin Tower
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Schottky
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:600 mV @ 300 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 mA @ 45 V
ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):45 V
電流 - 平均整流電流 ( Io) (ダイオードあたり):300A
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor MBR60045CTL
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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