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  • GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR

    DIODE MODULE 30V 150A 2TOWER
  • part number has RoHS
  • Número da peça do fabricante :MBR30030CTR
  • Fabricante :GeneSiC Semiconductor
  • Número de peça Dasenic :MBR30030CTR-DS
  • Ficha de dados :pdf download MBR30030CTR Ficha de dados
  • Descrição : DIODE MODULE 30V 150A 2TOWER
  • Pacote :-
  • Quantidade :
    Preço unitário : $ 203.24Total : $ 203.24
  • Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
  • Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pagamento :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Em estoque: 2476
( Quantidade mínima : 1 PCS )
Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
QuantidadePreço unitárioTotal
20 +$ 203.2400$ 4064.80
40 +$ 193.8600$ 7754.40
80 +$ 185.3000$ 14824.00

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GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Status do produto:Active
Tipo de montagem:Chassis Mount
Pacote / Caixa:Twin Tower
Pacote de dispositivo do fornecedor:Twin Tower
Velocidade:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tipo de diodo:Schottky
Tensão - Direta ( Vf) ( Máx.) @ Se:650 mV @ 150 A
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr:8 mA @ 20 V
Configuração de diodo:1 Pair Common Anode
Tensão - D C Reversa ( Vr) ( Máx.):30 V
Corrente - Média Retificada ( Io) (por Diodo):150A
Tempo de recuperação reversa (trr):-
Temperatura de operação - Junção:-55°C ~ 150°C
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.10.0080
Estado do REACH:REACH is not affected
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor MBR30030CTR
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.
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