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  • GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D

    650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
  • part number has RoHS
  • Número da peça do fabricante :GE2X8MPS06D
  • Fabricante :GeneSiC Semiconductor
  • Número de peça Dasenic :GE2X8MPS06D-DS
  • Ficha de dados :pdf download GE2X8MPS06D Ficha de dados
  • Descrição : 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
  • Pacote :-
  • Quantidade :
    Preço unitário : $ 5.445Total : $ 5.45
  • Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
  • Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pagamento :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Em estoque: 1560
( Quantidade mínima : 1 PCS )
Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
QuantidadePreço unitárioTotal
1 +$ 5.4450$ 5.45
3 +$ 4.8960$ 14.69
10 +$ 4.3290$ 43.29
30 +$ 3.8880$ 116.64
60 +$ 3.6270$ 217.62

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GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Status do produto:Active
Tipo de montagem:Through Hole
Pacote / Caixa:TO-247-3
Pacote de dispositivo do fornecedor:TO-247-3
Velocidade:No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Tensão - Direta ( Vf) ( Máx.) @ Se:-
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr:-
Configuração de diodo:1 Pair Common Cathode
Tensão - D C Reversa ( Vr) ( Máx.):650 V
Corrente - Média Retificada ( Io) (por Diodo):19A (DC)
Tempo de recuperação reversa (trr):-
Temperatura de operação - Junção:-55°C ~ 175°C
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado do REACH:REACH Unaffected
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.10.0080
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.
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