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GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N
650V 200A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
- Número da peça do fabricante :GD2X100MPS06N
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Número de peça Dasenic :GD2X100MPS06N-DS
- Ficha de dados :
GD2X100MPS06N Ficha de dados - Descrição : 650V 200A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 43.119Total : $ 43.12
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 43.1190 | $ 43.12 |
| 10 + | $ 39.5730 | $ 395.73 |
| 25 + | $ 43.1190 | $ 1077.98 |
| 100 + | $ 36.3150 | $ 3631.50 |
| 250 + | $ 35.1002 | $ 8775.05 |
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GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Status do produto:Active
Tipo de montagem:Chassis Mount
Pacote / Caixa:SOT-227-4, miniBLOC
Pacote de dispositivo do fornecedor:SOT-227
Velocidade:No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Tensão - Direta ( Vf) ( Máx.) @ Se:1.8 V @ 100 A
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr:5 µA @ 650 V
Configuração de diodo:2 Independent
Tensão - D C Reversa ( Vr) ( Máx.):650 V
Corrente - Média Retificada ( Io) (por Diodo):108A (DC)
Tempo de recuperação reversa (trr):0 ns
Temperatura de operação - Junção:-55°C ~ 175°C
EU Status RoHS:ROHS3 Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado do REACH:REACH Unaffected
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.10.0080
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.
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