as imagens são apenas para referência.

Share

1 : $26.7600

O primeiro registro com pedidos acima de US$ 2.000 recebe um cupom de US$ 100. Registrar agora !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001
  • GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220

    SIC DIODE 1200V 20A TO-220-2
  • part number has RoHS
  • Número da peça do fabricante :GC20MPS12-220
  • Fabricante :GeneSiC Semiconductor
  • Número de peça Dasenic :GC20MPS12-220-DS
  • Ficha de dados :pdf download GC20MPS12-220 Ficha de dados
  • Descrição : SIC DIODE 1200V 20A TO-220-2
  • Pacote :-
  • Quantidade :
    Preço unitário : $ 26.76Total : $ 26.76
  • Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
  • Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pagamento :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Em estoque: 1537
( Quantidade mínima : 1 PCS )
Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
QuantidadePreço unitárioTotal
1 +$ 26.7600$ 26.76
5 +$ 26.5400$ 132.70

Solicite um orçamento

save_cost

Strict_Quality

Fast_delivery

After_sales

GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-2
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):94A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 20 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:18 µA @ 1200 V
静電容量 @ Vr、 F:1298pF @ 1V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
GeneSiC Semiconductor Related_product_recommendations

Rfq_ad_title

Ratings_Reviews

Avaliações

Rate_product

Ratings_form_tips

  • RFQ