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GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
- Número da peça do fabricante :G3R45MT17K
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Número de peça Dasenic :G3R45MT17K-DS
- Ficha de dados :
G3R45MT17K Ficha de dados - Descrição : SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 24.678Total : $ 24.68
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 30 + | $ 24.6780 | $ 740.34 |
| 120 + | $ 23.6700 | $ 2840.40 |
| 270 + | $ 23.4360 | $ 6327.72 |
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GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Status do produto:Active
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Pacote / Caixa:TO-247-4
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Pacote de dispositivo do fornecedor:TO-247-4
Dissipação de energia (máx.):438W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Recurso F E T:-
Tensão de dreno para fonte ( Vdss):1700 V
Corrente - Dreno Contínuo ( Id) @ 25° C:61A (Tc)
Rds On ( Máx.) @ Id, Vgs:58mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.7V @ 8mA
Taxa de portão ( Qg) (máx.) @ Vgs:182 nC @ 15 V
Capacitância de entrada ( Ciss) (máx.) @ Vds:4523 pF @ 1000 V
Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado):15V
Vgs ( Máx.):±15V
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.29.0095
Estado do REACH:REACH is not affected
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.
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