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GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
- Número da peça do fabricante :G3R40MT12J
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Número de peça Dasenic :G3R40MT12J-DS
- Ficha de dados :
G3R40MT12J Ficha de dados - Descrição : SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 4.698Total : $ 4.70
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 4.6980 | $ 4.70 |
| 5 + | $ 4.6980 | $ 23.49 |
| 10 + | $ 4.6980 | $ 46.98 |
| 25 + | $ 4.6980 | $ 117.45 |
| 50 + | $ 4.6980 | $ 234.90 |
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GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Status do produto:Active
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Pacote / Caixa:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Pacote de dispositivo do fornecedor:TO-263-7
Dissipação de energia (máx.):374W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Recurso F E T:-
Tensão de dreno para fonte ( Vdss):1200 V
Corrente - Dreno Contínuo ( Id) @ 25° C:75A (Tc)
Rds On ( Máx.) @ Id, Vgs:48mOhm @ 35A, 15V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.69V @ 10mA
Taxa de portão ( Qg) (máx.) @ Vgs:106 nC @ 15 V
Capacitância de entrada ( Ciss) (máx.) @ Vds:2929 pF @ 800 V
Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado):15V
Vgs ( Máx.):±15V
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Estado do REACH:REACH is not affected
ECCN dos EUA:EAR99
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.
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