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GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
- Número da peça do fabricante :G3R350MT12J
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Número de peça Dasenic :G3R350MT12J-DS
- Ficha de dados :
G3R350MT12J Ficha de dados - Descrição : SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 1.323Total : $ 1.32
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 1.3230 | $ 1.32 |
| 10 + | $ 1.3230 | $ 13.23 |
| 25 + | $ 1.3230 | $ 33.08 |
| 50 + | $ 1.3230 | $ 66.15 |
| 100 + | $ 1.3230 | $ 132.30 |
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GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
消費電力（最大）:75W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:420mOhm @ 4A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.69V @ 2mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:12 nC @ 15 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:334 pF @ 800 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
Vgs (最大):±15V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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