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EPC EPC2112ENGRT
200 V GAN IC FET DRIVER
- Número da peça do fabricante :EPC2112ENGRT
- Fabricante :EPC
- Número de peça Dasenic :EPC2112ENGRT-DS
- Ficha de dados :
EPC2112ENGRT Ficha de dados - Descrição : 200 V GAN IC FET DRIVER
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 11.3643Total : $ 11.36
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 11.3643 | $ 113.64 |
| 2500 + | $ 6.3135 | $ 15783.75 |
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EPC EPC2112ENGRT especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Integrated Circuits (ICs)/Full, Half-Bridge Drivers
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
特徴:-
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:10-VFBGA
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
インタフェース:On/Off
サプライヤーデバイスパッケージ:10-BGA (2.9x1.1)
電圧 - 供給:4.5V ~ 5.5V
電流 - 出力 / チャンネル:10A
電流 - ピーク出力:40A
障害保護:-
出力構成:Low Side
荷重タイプ:Inductive
Rds オン (タイプ):32mOhm
電圧 - 負荷:160V (Max)
アプリケーション:DC-DC Converters
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
EPC EPC2112ENGRT
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) は、窒化ガリウム (GaN) ベースのパワーデバイスの開発と商品化を通じてパワーエレクトロニクス分野の発展に取り組んでいる最先端技術企業です。EPC は、パワーエレクトロニクス、半導体、ビジネス管理の専門家チームによって 2007 年に設立されました。設立以来、EPC は業界のリーダーとして認められ、既製の GaN ベースのパワートランジスタと集積回路の幅広いポートフォリオを提供しています。2009 年以降、同社の製品ラインは急速に拡大し、集積回路、自動車認定デバイス、耐放射線デバイスのファミリーが拡大しています。当社の製品は、民生用電子機器や自動車から再生可能エネルギーや宇宙まで、幅広い用途で使用されています。今日、世界中の大手企業が EPC と連携して、GaN の力で次世代テクノロジーを実現しています。
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