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Wolfspeed WAB300M12BM3
1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
- Número da peça do fabricante :WAB300M12BM3
- Fabricante :Wolfspeed
- Número de peça Dasenic :WAB300M12BM3-DS
- Ficha de dados :
WAB300M12BM3 Ficha de dados - Descrição : 1200 V, 300 A HALF-BRIDGE MODULE
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 1747.276Total : $ 1747.28
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- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Wolfspeed WAB300M12BM3 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Module
パワー - 最大:-
サプライヤーデバイスパッケージ:Module
F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
F E T機能:Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:382A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:5.2mOhm @ 300A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.6V @ 92mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:908nC @ 15V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:24500pF @ 1000V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Wolfspeed WAB300M12BM3
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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