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Wolfspeed CPMF-1200-S080B
SICFET N-CH 1200V 50A DIE
- Número da peça do fabricante :CPMF-1200-S080B
- Fabricante :Wolfspeed
- Número de peça Dasenic :CPMF-1200-S080B-DS
- Ficha de dados :
CPMF-1200-S080B Ficha de dados - Descrição : SICFET N-CH 1200V 50A DIE
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Wolfspeed CPMF-1200-S080B especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:Die
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:Die
消費電力（最大）:313mW (Tj)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:50A (Tj)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:90.8 nC @ 20 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1915 pF @ 800 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:20V
Vgs (最大):+25V, -5V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Wolfspeed CPMF-1200-S080B
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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