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Vishay SUP50010E-GE3
Em estoque: 1668
MOQ: 1
5 Níveis de preço
- Número da peça do fabricante :SUP50010E-GE3
- Fabricante :Vishay
- Número de peça Dasenic :SUP50010E-GE3-DS
- Ficha de dados : SUP50010E-GE3 Ficha de dados PDF
- Descrição : MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
- Pacote :-
- PREÇO UNITÁRIO: $3.8790Total: $3.88
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11-25 | $1.9980 | 48.5% Salvar |
26-100 | $1.8180 | 53.1% Salvar |
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Vishay SUP50010E-GE3 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Categoria:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Status do produto:Active
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Pacote / Caixa:TO-220-3
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Pacote de dispositivo do fornecedor:TO-220AB
Dissipação de energia (máx.):375W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Recurso F E T:-
Tensão de dreno para fonte ( Vdss):60 V
Corrente - Dreno Contínuo ( Id) @ 25° C:150A (Tc)
Rds On ( Máx.) @ Id, Vgs:2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4V @ 250µA
Taxa de portão ( Qg) (máx.) @ Vgs:212 nC @ 10 V
Capacitância de entrada ( Ciss) (máx.) @ Vds:10895 pF @ 30 V
Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado):7.5V, 10V
Vgs ( Máx.):±20V
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Estado do REACH:REACH is not affected
ECCN dos EUA:EAR99
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SUP50010E-GE3 fornecido por Vishay
Vishay Intertechnology, Inc., uma empresa Fortune 1000 listada na NYSE (VSH), é uma das maiores fabricantes mundiais de semicondutores discretos (diodos, retificadores, MOSFETs, optoeletrônicos e ICs selecionados) e componentes eletrônicos passivos (resistores, indutores e capacitores). Esses componentes são usados em praticamente todos os tipos de dispositivos e equipamentos eletrônicos, nos mercados industrial, de computação, automotivo, de consumo, de telecomunicações, militar, aeroespacial, de fontes de alimentação e médico. As inovações de produtos da Vishay, a estratégia de aquisição bem-sucedida e o serviço "one-stop shop" a tornaram uma líder global da indústria.
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Avaliações e avaliações
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John D.
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Sarah M.
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