as imagens são apenas para referência.
1 : $0.6305
O primeiro registro com pedidos acima de US$ 2.000 recebe um cupom de US$ 100. Registrar agora !
Vishay SIHP33N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
- Número da peça do fabricante :SIHP33N60E-GE3
- Fabricante :Vishay
- Número de peça Dasenic :SIHP33N60E-GE3-DS
- Ficha de dados :
SIHP33N60E-GE3 Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.6305Total : $ 0.63
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
- Entrega :
- Pagamento :
Em estoque: 3618
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.6305 | $ 0.63 |
Solicite um orçamento
save_cost
Strict_Quality
Fast_delivery
After_sales
Vishay SIHP33N60E-GE3 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AB
消費電力（最大）:278W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:33A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:150 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3508 pF @ 100 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Vishay SIHP33N60E-GE3
Vishay Intertechnology, Inc. は、NYSE (VSH) に上場している Fortune 1000 企業であり、個別半導体 (ダイオード、整流器、MOSFET、オプトエレクトロニクス、および特定の IC) と受動電子部品 (抵抗器、インダクタ、およびコンデンサ) を製造する世界最大手の企業の 1 つです。これらの部品は、産業、コンピューティング、自動車、消費者、通信、軍事、航空宇宙、電源、および医療市場におけるほぼすべての種類の電子デバイスおよび機器で使用されています。Vishay は、製品の革新、成功した買収戦略、および「ワンストップ ショップ」サービスにより、世界的な業界リーダーとなっています。
Vishay Related_product_recommendations
Rfq_ad_title
SIHP33N60E-GE3 mesmo tipo de produtos
Ratings_Reviews
Avaliações
Rate_product
Ratings_form_tips
