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Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F,S1Q
PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=8A
- Número da peça do fabricante :TRS8A65F,S1Q
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :TRS8A65F,S1Q-DS
- Ficha de dados :
TRS8A65F,S1Q Ficha de dados - Descrição : PB-F DIODE TO-220-2L V=650 IF=8A
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 10.68Total : $ 10.68
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 1501
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 10.6800 | $ 10.68 |
| 50 + | $ 5.5976 | $ 279.88 |
| 100 + | $ 10.6800 | $ 1068.00 |
| 500 + | $ 4.2460 | $ 2123.00 |
| 1000 + | $ 4.1675 | $ 4167.50 |
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Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F,S1Q especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-2 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220F-2L
スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 ( Io):8A (DC)
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.6 V @ 8 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:40 µA @ 650 V
静電容量 @ Vr、 F:28pF @ 650V, 1MHz
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
逆回復時間 (trr):0 ns
動作温度 - 接合部:175°C (Max)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage TRS8A65F,S1Q
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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