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Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
- Número da peça do fabricante :TPW4R50ANH,L1Q
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :TPW4R50ANH,L1Q-DS
- Ficha de dados :
TPW4R50ANH,L1Q Ficha de dados
- Descrição : MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 2.97Total : $ 2.97
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Total |
1 + | $ 2.9700 | $ 2.97 |
10 + | $ 1.9530 | $ 19.53 |
100 + | $ 1.3770 | $ 137.70 |
500 + | $ 1.1250 | $ 562.50 |
1000 + | $ 1.0170 | $ 1017.00 |
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Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH,L1Q especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerWDFN
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-DSOP Advance
消費電力(最大):800mW (Ta), 142W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:92A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.5mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:58 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5200 pF @ 50 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R50ANH,L1Q
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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