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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE,LM
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
- Número da peça do fabricante :SSM6N15AFE,LM
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :SSM6N15AFE,LM-DS
- Ficha de dados :
SSM6N15AFE,LM Ficha de dados - Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.0518Total : $ 0.05
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 0.0518 | $ 0.52 |
| 4000 + | $ 0.0288 | $ 115.20 |
| 8000 + | $ 0.0284 | $ 227.20 |
| 12000 + | $ 0.0280 | $ 336.00 |
| 20000 + | $ 0.0277 | $ 554.00 |
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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE,LM especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
パワー - 最大:150mW
サプライヤーデバイスパッケージ:ES6 (1.6x1.6)
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
F E T機能:Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100mA
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (最大) @ Id:1.5V @ 100µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:13.5pF @ 3V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.21.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE,LM
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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