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Toshiba Semiconductor and Storage RN1118(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
- Número da peça do fabricante :RN1118(T5L,F,T)
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :RN1118(T5L,F,T)-DS
- Ficha de dados :
RN1118(T5L,F,T) Ficha de dados - Descrição : TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.4Total : $ 0.40
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- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.4000 | $ 0.40 |
| 10 + | $ 0.2400 | $ 2.40 |
| 100 + | $ 0.1480 | $ 14.80 |
| 1000 + | $ 0.0860 | $ 86.00 |
| 3000 + | $ 0.0720 | $ 216.00 |
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Toshiba Semiconductor and Storage RN1118(T5L,F,T) especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
製品ステータス:Obsolete
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:SC-75, SOT-416
パワー - 最大:100 mW
サプライヤーデバイスパッケージ:SSM
トランジスタタイプ:NPN - Pre-Biased
電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 mA
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50 V
Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:50 @ 10mA, 5V
周波数 - 遷移:250 MHz
抵抗器 - ベース ( R1):47 kOhms
抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):10 kOhms
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.21.0075
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Toshiba Semiconductor and Storage RN1118(T5L,F,T)
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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