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Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q)
IGBT 400V 600MW 8TSSOP
- Número da peça do fabricante :GT8G133(TE12L,Q)
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :GT8G133(TE12L,Q)-DS
- Ficha de dados :
GT8G133(TE12L,Q) Ficha de dados
- Descrição : IGBT 400V 600MW 8TSSOP
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 3.5496Total : $ 3.55
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 58
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Total |
10 + | $ 3.5496 | $ 35.50 |
3000 + | $ 1.9720 | $ 5916.00 |
6000 + | $ 1.8978 | $ 11386.80 |
9000 + | $ 1.8350 | $ 16515.00 |
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Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q) especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:600 mW
サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSSOP
逆回復時間 (trr):-
電流 - コレクター ( Ic) (最大):-
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):400 V
I G B Tタイプ:-
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.9V @ 4V, 150A
電流 - コレクタパルス ( Icm):150 A
エネルギーの切り替え:-
ゲートチャージ:-
Td (オン/オフ) @ 25° C:1.7µs/2µs
テスト条件:-
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.21.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133(TE12L,Q)
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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