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Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q)
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
- Número da peça do fabricante :GT30J121(Q)
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :GT30J121(Q)-DS
- Ficha de dados :
GT30J121(Q) Ficha de dados - Descrição : IGBT 600V 30A 170W TO3PN
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 1.1326Total : $ 1.13
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 1700
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 200 + | $ 1.1326 | $ 226.52 |
| 300 + | $ 1.1207 | $ 336.21 |
| 500 + | $ 1.1152 | $ 557.60 |
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Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q) especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:170 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3P(N)
逆回復時間 (trr):-
電流 - コレクター ( Ic) (最大):30 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
I G B Tタイプ:-
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.45V @ 15V, 30A
電流 - コレクタパルス ( Icm):60 A
エネルギーの切り替え:1mJ (on), 800µJ (off)
ゲートチャージ:-
Td (オン/オフ) @ 25° C:90ns/300ns
テスト条件:300V, 30A, 24Ohm, 15V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Toshiba Semiconductor and Storage GT30J121(Q)
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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