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Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q)
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- Número da peça do fabricante :GT10J312(Q)
- Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
- Número de peça Dasenic :GT10J312(Q)-DS
- Ficha de dados :
GT10J312(Q) Ficha de dados - Descrição : IGBT 600V 10A 60W TO220SM
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Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q) especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:60 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SM
逆回復時間 (trr):200 ns
電流 - コレクター ( Ic) (最大):10 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
I G B Tタイプ:-
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.7V @ 15V, 10A
電流 - コレクタパルス ( Icm):20 A
エネルギーの切り替え:-
ゲートチャージ:-
Td (オン/オフ) @ 25° C:400ns/400ns
テスト条件:300V, 10A, 100Ohm, 15V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q)
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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