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GeneSiC Semiconductor 1N1184R
DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5
- Número da peça do fabricante :1N1184R
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Número de peça Dasenic :1N1184R-DS
- Ficha de dados :
1N1184R Ficha de dados - Descrição : DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 139.1Total : $ 139.10
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- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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GeneSiC Semiconductor 1N1184R especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース:DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ:DO-5
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard, Reverse Polarity
電流 - 平均整流 ( Io):35A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.2 V @ 35 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 50 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):100 V
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-65°C ~ 190°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor 1N1184R
GeneSiC Semiconductor は、シリコンカーバイド (SiC) テクノロジーのパイオニアであり、世界的リーダーです。世界有数のメーカーは、GeneSiC のテクノロジーを利用して、自社製品の性能と効率を高めています。GeneSiC の電子部品は、より低温で、より高速で、より経済的に動作し、さまざまな高出力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします。GeneSiC は、ワイドバンドギャップパワーデバイステクノロジーに関する主要な特許を保有しており、この市場は 2025 年までに 50 億ドルを超えると予測されています。当社の中核的な強みである設計、プロセス、テクノロジーは、お客様の最終製品にさらなる価値をもたらし、性能とコストの指標はシリコンカーバイド業界の新しい基準を確立します。2022 年 8 月、Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) は、GeneSiC Semiconductor の買収を発表しました。
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