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SemiQ GHXS030A120S-D1
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
- Número da peça do fabricante :GHXS030A120S-D1
- Fabricante :SemiQ
- Número de peça Dasenic :GHXS030A120S-D1-DS
- Ficha de dados :
GHXS030A120S-D1 Ficha de dados - Descrição : BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
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SemiQ GHXS030A120S-D1 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
テクノロジー:Silicon Carbide Schottky
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227
ダイオードタイプ:Single Phase
電圧 - ピーク逆電圧（最大）:1.2 kV
電流 - 平均整流 ( Io):30 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.7 V @ 30 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:200 µA @ 1200 V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Affected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
SemiQ GHXS030A120S-D1
SemiQ Inc. は、米国を拠点とするシリコンカーバイド (SiC) パワー半導体デバイスおよび材料の開発および製造会社で、SiC パワー MPS ダイオード、SiC モジュール、SiC パワー MOSFET、SiC カスタム モジュール、SiC ベア ダイ、SiC カスタム N タイプ エピ ウェハーなどを開発しています。SemiQ は非公開企業で、一部は従業員所有です。SemiQ (旧称 Global Power Technologies Group) は、南カリフォルニアの本社で 2012 年にシリコンカーバイド技術の開発を開始し、エピの成長とデバイス設計も行っています。最近、SemiQ は、サージ電流、耐湿性、全体的な堅牢性と耐久性が向上した Gen 3 SiC ショットキー ダイオード (Merged PiN ショットキー タイプ) をリリースしました。 SemiQ 製品は、EV 充電システム、誘導加熱、電源、燃料電池発電、および世界中の太陽光インバータに導入されています。さらに、SemiQ は電力変換アプリケーションの専門知識を提供し、3.3kW、6.6kW 以上のインバータの設計で豊富な経験を持っています。SemiQ の製造およびエンジニアリング施設は、カリフォルニア州レイクフォレストにあります。同社は完全に冗長化された SiC サプライ チェーンを持っています。
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