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1 : $3.5307
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ROHM Semiconductor SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
- Número da peça do fabricante :SCT2H12NYTB
- Fabricante :ROHM Semiconductor
- Número de peça Dasenic :SCT2H12NYTB-DS
- Ficha de dados :
SCT2H12NYTB Ficha de dados - Descrição : SICFET N-CH 1700V 4A TO268
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 3.5307Total : $ 3.53
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 6216
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 3.5307 | $ 3.53 |
| 10 + | $ 2.8953 | $ 28.95 |
| 50 + | $ 2.2932 | $ 114.66 |
| 100 + | $ 2.1780 | $ 217.80 |
| 500 + | $ 2.0286 | $ 1014.30 |
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ROHM Semiconductor SCT2H12NYTB especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268
消費電力（最大）:44W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 410µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14 nC @ 18 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:184 pF @ 800 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:18V
Vgs (最大):+22V, -6V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ROHM Semiconductor SCT2H12NYTB
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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