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ROHM Semiconductor RS1E200GNTB
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
- Número da peça do fabricante :RS1E200GNTB
- Fabricante :ROHM Semiconductor
- Número de peça Dasenic :RS1E200GNTB-DS
- Ficha de dados :
RS1E200GNTB Ficha de dados - Descrição : MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.1836Total : $ 0.18
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 0.1836 | $ 0.18 |
| 10 + | $ 0.1791 | $ 1.79 |
| 50 + | $ 0.1755 | $ 8.78 |
| 100 + | $ 0.1719 | $ 17.19 |
| 500 + | $ 0.1710 | $ 85.50 |
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ROHM Semiconductor RS1E200GNTB especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-HSOP
消費電力（最大）:3W (Ta), 25.1W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 1mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:16.8 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1080 pF @ 15 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ROHM Semiconductor RS1E200GNTB
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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