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Powerex Inc. QJD1210SA1
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- Número da peça do fabricante :QJD1210SA1
- Fabricante :Powerex Inc.
- Número de peça Dasenic :QJD1210SA1-DS
- Ficha de dados :
QJD1210SA1 Ficha de dados - Descrição : MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
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Powerex Inc. QJD1210SA1 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Module
パワー - 最大:520W
サプライヤーデバイスパッケージ:Module
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:100A
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:17mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (最大) @ Id:1.6V @ 34mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:330nC @ 15V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:8200pF @ 10V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Powerex Inc. QJD1210SA1
Powerex, Inc. は、個別デバイス、モジュール、統合高出力半導体ソリューションの大手サプライヤです。同社の幅広い製品ラインには、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、HVIGBT、整流器、サイリスタ、カスタム パワー モジュールおよびアセンブリが含まれます。また、カスタム モジュール、シリコン カーバイド技術、顧客固有のアセンブリにも力を入れています。Powerex は、要求の厳しいアプリケーションに対応するために、ペンシルベニア州ヤングウッドの工場で幅広い整流器およびサイリスタ製品を製造しています。Powerex は、軍用パワー エレクトロニクス アプリケーション、航空機、電気自動車、誘導加熱、産業用ポンプ制御、医療用電源、発電および配電、パルス電力など、多くの市場をサポートしています。Powerex は、1986 年に General Electric Company と Westinghouse Electric Corporation のパワー セミコンダクタ部門の合併によって設立されました。1994 年に、Westinghouse は General Electric と Mitsubishi Electric に株式を売却し、現在この 2 社が Powerex を共同所有しています。
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