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Micron Technology Inc. MT8HTF3264HY-40EB3
Em estoque: 1660
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- Número da peça do fabricante :MT8HTF3264HY-40EB3
- Fabricante :Micron Technology Inc.
- Número de peça Dasenic :MT8HTF3264HY-40EB3-DS
- Ficha de dados : MT8HTF3264HY-40EB3 Ficha de dados PDF
- Descrição : MODUL DDR2 SDRAM 256MB 200SODIMM
- Pacote :-
- PREÇO UNITÁRIO: $62.1810Total: $62.18
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Micron Technology Inc. MT8HTF3264HY-40EB3 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Categoria:Memory Cards & Modules/Memory - Modules
Status do produto:Discontinued at Digi-Key
Pacote / Caixa:200-SODIMM
Tamanho da memória:256MB
Tipo de memória:DDR2 SDRAM
Velocidade:400MT/s
EU Status RoHS:ROHS3 Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado do REACH:REACH Unaffected
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8473.30.1140
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MT8HTF3264HY-40EB3 fornecido por Micron Technology Inc.
Fundada em 1978, a Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) é líder do setor em soluções inovadoras de memória e armazenamento que transformam a maneira como o mundo usa as informações. A Micron oferece um rico portfólio de produtos de memória e armazenamento DRAM, NAND e NOR de alto desempenho por meio de nossas marcas Micron® e Crucial®. Em IA, nuvem, edge inteligente ou uma miríade de dispositivos, os produtos e soluções da Micron permitem inovação orientada por dados - desde medicina de precisão que discerne padrões de doenças e fornece tratamentos personalizados até serviços ricos em dados entregues em veículos inteligentes quase em tempo real. Por mais de 40 anos, nossa empresa tem sido fundamental para os avanços tecnológicos mais significativos do mundo, fornecendo sistemas de memória e armazenamento ideais para uma ampla gama de aplicações, incluindo automotiva, móvel, data center e cliente. Com sede em Idaho, EUA, com mais de 40.000 membros de equipe em 17 países, exploramos continuamente novas maneiras de ajudar o mundo a se beneficiar da transformação de dados em insights.
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Avaliações e avaliações
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John D.
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Sarah M.
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