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Linear Integrated Systems Inc. 2N4391 TO-18 3L
LOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH
- Número da peça do fabricante :2N4391 TO-18 3L
- Fabricante :Linear Integrated Systems Inc.
- Número de peça Dasenic :2N4391 TO-18 3L-DS
- Ficha de dados :
2N4391 TO-18 3L Ficha de dados - Descrição : LOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH
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Linear Integrated Systems Inc. 2N4391 TO-18 3L especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - JFETs
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 200°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
パワー - 最大:1.8 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-18-3
F E Tタイプ:N-Channel
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:14pF @ 20V
電圧 - ブレークダウン ( V( B R) G S S):40 V
電流 - ドレイン ( Idss) @ Vds ( Vgs=0):-
消費電流 ( Id) - 最大:-
電圧 - カットオフ（ V G S オフ）@ Id:-
抵抗 - R D S(オン):30 Ohms
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Linear Integrated Systems Inc. 2N4391 TO-18 3L
Linear Systems は、1987 年に John H. Hall によって設立されました。Linear Integrated Systems は、業界で最高性能の半導体を開発、製造しています。当社の製品ラインは、超低ノイズ N チャネルおよび P チャネルのデュアルおよびシングル JFET、高速ラテラル DMOS スイッチ、バイポーラ トランジスタ、BIFET アンプ、電流調整ダイオード、低リーク ダイオード、MOSFET、フォト FET、電圧制御抵抗器で構成されています。Linear Integrated Systems は、特許取得済みの独自のプロセスと設計を使用して、高性能のディスクリート半導体を製造しています。シリコン バレーの 3 つの製造施設で作業している当社のコンポーネントは、軍用水中リスニングから現存する最大の宇宙望遠鏡カメラに至るまで、さまざまなアプリケーションで世界をリードしています。グラミー賞を受賞したミュージシャンは、当社のコンポーネントを使用したマイクを頼りにしており、現存する最高のオーディオ機器のいくつかは、この音楽を聴くために当社の部品を頼りにしています。航空機から宇宙船まで、さまざまなシステムのセンサーは当社の半導体に基づいています。当社の設計および製造施設は、カリフォルニア州シリコン バレーの中心部にあります。
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