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IXYS IXTA52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
- Número da peça do fabricante :IXTA52P10P
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXTA52P10P-DS
- Ficha de dados :
IXTA52P10P Ficha de dados - Descrição : MOSFET P-CH 100V 52A TO263
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 6.084Total : $ 6.08
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 1895
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 6.0840 | $ 6.08 |
| 10 + | $ 5.7060 | $ 57.06 |
| 50 + | $ 3.5820 | $ 179.10 |
| 100 + | $ 3.3210 | $ 332.10 |
| 250 + | $ 3.2940 | $ 823.50 |
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IXYS IXTA52P10P especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Status do produto:Active
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Pacote / Caixa:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Pacote de dispositivo do fornecedor:TO-263AA
Dissipação de energia (máx.):300W (Tc)
Tipo F E T:P-Channel
Recurso F E T:-
Tensão de dreno para fonte ( Vdss):100 V
Corrente - Dreno Contínuo ( Id) @ 25° C:52A (Tc)
Rds On ( Máx.) @ Id, Vgs:50mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4.5V @ 250µA
Taxa de portão ( Qg) (máx.) @ Vgs:60 nC @ 10 V
Capacitância de entrada ( Ciss) (máx.) @ Vds:2845 pF @ 25 V
Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado):10V
Vgs ( Máx.):±20V
EU Status RoHS:ROHS3 Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado do REACH:REACH Unaffected
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.29.0095
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXTA52P10P
Desde sua fundação no Vale do Silício em 1983, a IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS) tem sido pioneira mundial no desenvolvimento de semicondutores de potência, relés de estado sólido, circuitos integrados de alta tensão e microcontroladores. Com uma base de clientes finais de mais de 3.500 nos setores industrial, automotivo, de comunicações, de consumo, médico e de transporte, a IXYS é uma fornecedora mundialmente reconhecida de semicondutores avançados. A IXYS se concentra em várias tecnologias de semicondutores, incluindo MOSFETs de potência, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors), retificadores, tiristores, diodos e outras soluções de semicondutores discretas e integradas. A empresa também fabrica CIs analógicos e de sinal misto, amplificadores de potência de RF e CIs de gerenciamento de energia. Em janeiro de 2018, a Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS) concluiu a aquisição da IXYS Corporation e a IXYS foi retirada da NASDAQ.
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