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IXYS IXGN200N60B
- Número da peça do fabricante :IXGN200N60B
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :IXGN200N60B-DS
- Ficha de dados : IXGN200N60B Ficha de dados
- Descrição : IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B
- Pacote :-
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IXYS IXGN200N60B especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Modules
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
パワー - 最大:600 W
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
構成:Single
入力:Standard
電流 - コレクター ( Ic) (最大):200 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):600 V
電流 - コレクターカットオフ(最大):200 µA
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 120A
入力容量 ( Cies) @ Vce:11 nF @ 25 V
N T Cサーミスタ:No
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS IXGN200N60B
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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