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IXYS DS75-08B
DIODE GEN PURP 800V 110A DO203AB
- Número da peça do fabricante :DS75-08B
- Fabricante :IXYS
- Número de peça Dasenic :DS75-08B-DS
- Ficha de dados :
DS75-08B Ficha de dados - Descrição : DIODE GEN PURP 800V 110A DO203AB
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 35.814Total : $ 35.81
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IXYS DS75-08B especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Obsolete
取り付けタイプ:Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース:DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ:DO-203AB
スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電流 - 平均整流 ( Io):110A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.17 V @ 150 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:6 mA @ 800 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):800 V
逆回復時間 (trr):-
動作温度 - 接合部:-40°C ~ 180°C
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXYS DS75-08B
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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