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Inventchip IV1Q12050T3
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
- Número da peça do fabricante :IV1Q12050T3
- Fabricante :Inventchip
- Número de peça Dasenic :IV1Q12050T3-DS
- Ficha de dados :
IV1Q12050T3 Ficha de dados - Descrição : SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 63.3Total : $ 63.30
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| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 63.3000 | $ 63.30 |
| 30 + | $ 46.2500 | $ 1387.50 |
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Inventchip IV1Q12050T3 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
テクノロジー:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
消費電力（最大）:327W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:58A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.2V @ 6mA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:120 nC @ 20 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2770 pF @ 800 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:20V
Vgs (最大):+20V, -5V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
REACH規則:REACH is not affected
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Inventchip IV1Q12050T3
InventChip Technology Co., Ltd.は、シリコンカーバイドパワーデバイスとドライバー/コントロールIC製品の開発に注力するハイテク半導体企業です。2017年に設立され、中国上海に拠点を置いています。Inventchipは、風力エネルギー、太陽光発電、産業用電源、新エネルギー車、モータードライブ、充電パイルなどの分野に適したSiCパワーデバイス、SiCドライバーチップ、SiCモジュールを中心とした電力変換ソリューションを提供しています。Inventchipは、設立当初から6インチSiC MOSFETの研究開発に取り組んできました。3年間の集中的な研究開発を経て、中国で初めて6インチSiC MOSFETとSBDプロセス、およびSiC MOSFETドライバーチップを習得した企業となりました。Inventchipは、エンドシステムの小型化、軽量化、効率向上に特化した高品質でコスト効率の高いSiCパワーデバイスとIC製品の開発に取り組んでおり、完全なターンキー半導体ソリューションを提供しています。
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