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Goford Semiconductor GT110N06S
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
- Número da peça do fabricante :GT110N06S
- Fabricante :Goford Semiconductor
- Número de peça Dasenic :GT110N06S-DS
- Ficha de dados :
GT110N06S Ficha de dados - Descrição : N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 1.026Total : $ 1.03
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 10749
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 1 + | $ 1.0260 | $ 1.03 |
| 10 + | $ 0.6408 | $ 6.41 |
| 100 + | $ 1.0260 | $ 102.60 |
| 500 + | $ 0.3261 | $ 163.05 |
| 1000 + | $ 0.2955 | $ 295.50 |
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Goford Semiconductor GT110N06S especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
消費電力（最大）:3.1W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:14A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.4V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:24 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1300 pF @ 25 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor GT110N06S
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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