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Goford Semiconductor GT100N12M
N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
- Número da peça do fabricante :GT100N12M
- Fabricante :Goford Semiconductor
- Número de peça Dasenic :GT100N12M-DS
- Ficha de dados :
GT100N12M Ficha de dados - Descrição : N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.6566Total : $ 0.66
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 0.6566 | $ 6.57 |
| 800 + | $ 0.5472 | $ 437.76 |
| 15200 + | $ 0.5049 | $ 7674.48 |
| 30400 + | $ 0.4545 | $ 13816.80 |
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Goford Semiconductor GT100N12M especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263
消費電力（最大）:120W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):120 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:70A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:10mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:50 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3050 pF @ 60 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor GT100N12M
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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