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Goford Semiconductor GT060N04D3
N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
- Número da peça do fabricante :GT060N04D3
- Fabricante :Goford Semiconductor
- Número de peça Dasenic :GT060N04D3-DS
- Ficha de dados :
GT060N04D3 Ficha de dados
- Descrição : N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.2997Total : $ 0.30
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Total |
10 + | $ 0.2997 | $ 3.00 |
5000 + | $ 0.1665 | $ 832.50 |
15000 + | $ 0.1539 | $ 2308.50 |
30000 + | $ 0.1386 | $ 4158.00 |
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Goford Semiconductor GT060N04D3 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (3.15x3.05)
消費電力(最大):36W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:40A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:6.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:32 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1282 pF @ 20 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor GT060N04D3
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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