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Goford Semiconductor GC20N65F
N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
- Número da peça do fabricante :GC20N65F
- Fabricante :Goford Semiconductor
- Número de peça Dasenic :GC20N65F-DS
- Ficha de dados :
GC20N65F Ficha de dados - Descrição : N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 1.2384Total : $ 1.24
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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- Pagamento :
Em estoque: 45064
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 100 + | $ 1.2384 | $ 123.84 |
| 15000 + | $ 1.1430 | $ 17145.00 |
| 30000 + | $ 1.0287 | $ 30861.00 |
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Goford Semiconductor GC20N65F especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220F
消費電力（最大）:34W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:170mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:39 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1724 pF @ 100 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
Vgs (最大):±30V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor GC20N65F
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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