
as imagens são apenas para referência.
1 : $0.7137
O primeiro registro com pedidos acima de US$ 2.000 recebe um cupom de US$ 100. Registrar agora !
Goford Semiconductor GC11N65F
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
- Número da peça do fabricante :GC11N65F
- Fabricante :Goford Semiconductor
- Número de peça Dasenic :GC11N65F-DS
- Ficha de dados :
GC11N65F Ficha de dados
- Descrição : N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.7137Total : $ 0.71
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
- Entrega :
- Pagamento :
Em estoque: 24000
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Total |
100 + | $ 0.7137 | $ 71.37 |
15000 + | $ 0.6588 | $ 9882.00 |
30000 + | $ 0.5931 | $ 17793.00 |
Solicite um orçamento
save_cost
Strict_Quality
Fast_delivery
After_sales
Goford Semiconductor GC11N65F especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-
取り付けタイプ:-
パッケージ/ケース:-
テクノロジー:-
サプライヤーデバイスパッケージ:-
消費電力(最大):-
F E Tタイプ:-
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):-
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
Vgs (最大):-
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor GC11N65F
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
Goford Semiconductor Related_product_recommendations
Rfq_ad_title
GC11N65F mesmo tipo de produtos
Ratings_Reviews
Avaliações
Rate_product
Ratings_form_tips