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Goford Semiconductor G50N03J
N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
- Número da peça do fabricante :G50N03J
- Fabricante :Goford Semiconductor
- Número de peça Dasenic :G50N03J-DS
- Ficha de dados :
G50N03J Ficha de dados - Descrição : N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.1566Total : $ 0.16
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 0.1566 | $ 1.57 |
| 525 + | $ 0.1305 | $ 68.51 |
| 15000 + | $ 0.1206 | $ 1809.00 |
| 30000 + | $ 0.1080 | $ 3240.00 |
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Goford Semiconductor G50N03J especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-251-3 Stub Leads, IPak
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-251
消費電力（最大）:48W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:65A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:16.6 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1255 pF @ 15 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G50N03J
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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