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Goford Semiconductor G48N03D3
N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
- Número da peça do fabricante :G48N03D3
- Fabricante :Goford Semiconductor
- Número de peça Dasenic :G48N03D3-DS
- Ficha de dados :
G48N03D3 Ficha de dados
- Descrição : N30V,RD(MAX)<6M@10V,RD(MAX)<8M@4
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.2462Total : $ 0.25
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
- Entrega :
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( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Total |
10 + | $ 0.2462 | $ 2.46 |
5000 + | $ 0.1368 | $ 684.00 |
15000 + | $ 0.1269 | $ 1903.50 |
30000 + | $ 0.1143 | $ 3429.00 |
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Goford Semiconductor G48N03D3 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-DFN (3.15x3.05)
消費電力(最大):45W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:48A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:2.4V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:38 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1784 pF @ 15 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G48N03D3
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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