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Goford Semiconductor G10N10A
N100V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<22
- Número da peça do fabricante :G10N10A
- Fabricante :Goford Semiconductor
- Número de peça Dasenic :G10N10A-DS
- Ficha de dados :
G10N10A Ficha de dados - Descrição : N100V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<22
- Pacote :-
- Quantidade :Preço unitário : $ 0.3116Total : $ 0.31
- Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
- Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
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Em estoque: 12786
( Quantidade mínima : 1 PCS )Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Total |
| 10 + | $ 0.3116 | $ 3.12 |
| 2500 + | $ 0.1731 | $ 432.75 |
| 5000 + | $ 0.1601 | $ 800.50 |
| 7500 + | $ 0.1731 | $ 1298.25 |
| 12500 + | $ 0.1463 | $ 1828.75 |
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Goford Semiconductor G10N10A especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOP
消費電力（最大）:3.1W (Ta)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:20mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:1.6V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:90 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:2600 pF @ 50 V
駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G10N10A
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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