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  • Goford Semiconductor G1003A

    N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
  • part number has RoHS
  • Número da peça do fabricante :G1003A
  • Fabricante :Goford Semiconductor
  • Número de peça Dasenic :G1003A-DS
  • Ficha de dados :pdf download G1003A Ficha de dados
  • Descrição : N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
  • Pacote :-
  • Quantidade :
    Preço unitário : $ 0.1361Total : $ 0.14
  • Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
  • Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pagamento :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Em estoque: 45091
( Quantidade mínima : 1 PCS )
Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
QuantidadePreço unitárioTotal
10 +$ 0.1361$ 1.36
3000 +$ 0.0756$ 226.80
15000 +$ 0.0702$ 1053.00
30000 +$ 0.0630$ 1890.00

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Goford Semiconductor G1003A especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-23-3
消費電力(最大):5W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:3A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:210mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ Id:3V @ 250µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:18.2 nC @ 10 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:622 pF @ 25 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Goford Semiconductor G1003A
1995 年の設立以来、Goford Semiconductor は米国、香港、オーストラリア、深圳、江蘇省にオフィスを構えるグローバル企業へと成長してきました。当社は常にパワー MOSFET 製品の研究開発と販売に注力してきました。当社はエネルギー効率、モビリティ、信頼性を重視し、コスト効率の高い製品を市場に提供しています。
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