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Global Power Technology-GPT G5S12002A

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Global Power Technology-GPT G5S12002A especificações técnicas, atributos, parâmetros.

Categoria:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Status do produto:Active
Tipo de montagem:Through Hole
Pacote / Caixa:TO-220-2
Pacote de dispositivo do fornecedor:TO-220AC
Velocidade:No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Corrente - Média Retificada ( Io):10A (DC)
Tensão - Direta ( Vf) ( Máx.) @ Se:1.7 V @ 2 A
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr:50 µA @ 1200 V
Capacitância @ Vr, F:170pF @ 0V, 1MHz
Tensão - D C Reversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
Tempo de recuperação reversa (trr):0 ns
Temperatura de operação - Junção:-55°C ~ 175°C
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado do REACH:REACH info available upon request
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.10.0080
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
G5S12002A fornecido por Global Power Technology-GPT
A Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) é uma das pioneiras na industrialização de dispositivos de energia de carboneto de silício (SiC) da China. Koown como o primeiro fabricante de dispositivos de energia de SiC na China, a GPT possui uma fábrica completa de semicondutores localizada em Pequim. A linha de produção é compatível com a fabricação de wafers de 4/6 polegadas. Como a primeira empresa doméstica de serviços de plataforma de produção e P&D de dispositivos SiC, a linha de produção da GPT cobre produtos básicos de tecnologia de núcleo, produtos de moldagem de SIC e múltiplas soluções industriais. Os principais produtos da empresa são representados por diodos Schottky de SiC. A série de produtos de diodo Schottky de carboneto de silício foi colocada em produção em massa, a qualidade dos produtos pode ser comparada com o nível avançado da mesma indústria no mundo.

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Avaliações e avaliações
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John D.

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