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GeneSiC Semiconductor MBR400100CTR

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GeneSiC Semiconductor MBR400100CTR especificações técnicas, atributos, parâmetros.

Categoria:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Status do produto:Active
Tipo de montagem:Chassis Mount
Pacote / Caixa:Twin Tower
Pacote de dispositivo do fornecedor:Twin Tower
Velocidade:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tipo de diodo:Schottky, Reverse Polarity
Tensão - Direta ( Vf) ( Máx.) @ Se:840 mV @ 200 A
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr:5 mA @ 20 V
Configuração de diodo:1 Pair Common Anode
Tensão - D C Reversa ( Vr) ( Máx.):100 V
Corrente - Média Retificada ( Io) (por Diodo):200A
Tempo de recuperação reversa (trr):-
Temperatura de operação - Junção:-55°C ~ 150°C
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Estado do REACH:REACH is not affected
ECCN dos EUA:EAR99
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MBR400100CTR fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.

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Avaliações e avaliações
Great Product

John D.

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Sarah M.

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