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  • GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E

    1200V 2A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M
  • part number has RoHS
  • Número da peça do fabricante :GD02MPS12E
  • Fabricante :GeneSiC Semiconductor
  • Número de peça Dasenic :GD02MPS12E-DS
  • Ficha de dados :pdf download GD02MPS12E Ficha de dados
  • Descrição : 1200V 2A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M
  • Pacote :-
  • Quantidade :
    Preço unitário : $ 1.3779Total : $ 1.38
  • Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
  • Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pagamento :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Em estoque: 10278
( Quantidade mínima : 1 PCS )
Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
QuantidadePreço unitárioTotal
10 +$ 1.3779$ 13.78
2500 +$ 0.7655$ 1913.75
5000 +$ 0.7223$ 3611.50

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GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
Status do produto:Active
Tipo de montagem:Surface Mount
Pacote / Caixa:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de dispositivo do fornecedor:TO-252-2
Velocidade:No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Corrente - Média Retificada ( Io):8A (DC)
Tensão - Direta ( Vf) ( Máx.) @ Se:1.8 V @ 2 A
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr:5 µA @ 1200 V
Capacitância @ Vr, F:73pF @ 1V, 1MHz
Tensão - D C Reversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
Tempo de recuperação reversa (trr):0 ns
Temperatura de operação - Junção:-55°C ~ 175°C
EU Status RoHS:ROHS3 Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado do REACH:REACH Unaffected
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.10.0080
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.
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