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GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247

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GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247 especificações técnicas, atributos, parâmetros.

Categoria:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
Status do produto:Not For New Designs
Tipo de montagem:Through Hole
Pacote / Caixa:TO-247-3
Pacote de dispositivo do fornecedor:TO-247-3
Velocidade:No Recovery Time > 500mA (Io)
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Tensão - Direta ( Vf) ( Máx.) @ Se:1.8 V @ 20 A
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr:18 µA @ 1200 V
Configuração de diodo:1 Pair Common Cathode
Tensão - D C Reversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
Corrente - Média Retificada ( Io) (por Diodo):90A (DC)
Tempo de recuperação reversa (trr):0 ns
Temperatura de operação - Junção:-55°C ~ 175°C
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado do REACH:REACH Unaffected
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.10.0080
Status RoHS da China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GC2X20MPS12-247 fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.

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Avaliações e avaliações
Great Product

John D.

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