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GeneSiC Semiconductor GBPC25005T
Em estoque: 2630
MOQ: 1
2 Níveis de preço
- Número da peça do fabricante :GBPC25005T
- Fabricante :GeneSiC Semiconductor
- Número de peça Dasenic :GBPC25005T-DS
- Ficha de dados : GBPC25005T Ficha de dados PDF
- Descrição : BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBPC
- Pacote :-
- PREÇO UNITÁRIO: $6.3390Total: $6.34
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GeneSiC Semiconductor GBPC25005T especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Categoria:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
Status do produto:Active
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:QC Terminal
Pacote / Caixa:4-Square, GBPC
Tecnologia:Standard
Pacote de dispositivo do fornecedor:GBPC
Tipo de diodo:Single Phase
Tensão - Pico Reverso ( Máx.):50 V
Corrente - Média Retificada ( Io):25 A
Tensão - Direta ( Vf) ( Máx.) @ Se:1.1 V @ 7.5 A
Corrente - Vazamento Reverso @ Vr:5 µA @ 50 V
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Classificação MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN dos EUA:EAR99
HTS EUA:8541.10.0080
Estado do REACH:REACH is not affected
Status RoHS da China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GBPC25005T fornecido por GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.
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John D.
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