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  • GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247

    TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
  • part number has RoHS
  • Número da peça do fabricante :GA50JT12-247
  • Fabricante :GeneSiC Semiconductor
  • Número de peça Dasenic :GA50JT12-247-DS
  • Ficha de dados :pdf download GA50JT12-247 Ficha de dados
  • Descrição : TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
  • Pacote :-
  • Quantidade :
    Preço unitário : $ 159.7Total : $ 159.70
  • Prazo de entrega :Envie dentro de 48 horas
  • Origem do envio :Armazém de Shenzhen ou Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pagamento :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
Em estoque: 1040
( Quantidade mínima : 1 PCS )
Preços (USD) : *Todos os preços estão em USD
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GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247 especificações técnicas, atributos, parâmetros.
Category:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Status do produto:Obsolete
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Pacote / Caixa:TO-247-3
Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Pacote de dispositivo do fornecedor:TO-247AB
Dissipação de energia (máx.):583W (Tc)
Tipo F E T:-
Recurso F E T:-
Tensão de dreno para fonte ( Vdss):1200 V
Corrente - Dreno Contínuo ( Id) @ 25° C:100A (Tc)
Rds On ( Máx.) @ Id, Vgs:25mOhm @ 50A
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:-
Taxa de portão ( Qg) (máx.) @ Vgs:-
Capacitância de entrada ( Ciss) (máx.) @ Vds:7209 pF @ 800 V
Tensão de acionamento (máx. Rds ligado, mín. Rds ligado):-
Vgs ( Máx.):-
EU Status RoHS:RoHS Compliant
Estado do REACH:Vendor is not defined
ECCN dos EUA:Provided as per user requirements
Status RoHS da China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
GeneSiC Semiconductor GA50JT12-247
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício (SiC). Os principais fabricantes globais dependem da tecnologia da GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos da GeneSiC funcionam mais frios, mais rápidos e de forma mais econômica e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. A GeneSiC detém patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia de banda larga, um mercado que deve atingir mais de US$ 5 bilhões até 2025. Nossos principais pontos fortes de design, processo e tecnologia agregam mais valor ao produto final de nossos clientes, com métricas de desempenho e custo definindo novos padrões na indústria de carboneto de silício. Em agosto de 2022, a Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) anunciou a aquisição da GeneSiC Semiconductor.
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